宽禁带半导体材料是指禁带宽度大于2.3电子伏特的半导体材料。这些材料具有高电子饱和迁移率、高击穿电场、高热导率等优点，因此在电力电子领域得到广泛应用。 宽禁带半导体材料包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等。这些材料具有高电子饱和迁移率、高击穿电场、高热导率等优点，因此在电力电子领域得到广泛应用。 在宽禁带半导体材料的应用中，SiC和GaN是最常用的两种材料。SiC具有高电子饱和迁移率、高击穿电场、高热导率等优点，因此在电力电子领域得到广泛应用。GaN具有高电子饱和迁移率、高击穿电场、高热
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