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本文旨在研究在不同煅烧温度下Zn7Sb2O12尖晶石陶瓷的结构和电性能, 采用化学共沉淀法合成了尖晶石Zn7Sb2O12陶瓷粉体，并将陶瓷坯体在1000℃、1100℃和1200℃的空气中煅烧2小时。通过X光衍射（XRD）、电流-电压（E-J）测量和阻抗分析仪研究了Zn7Sb2O12陶瓷材料的结构和电学特性。
碳化硅压敏电阻是一种电子元器件，具有特殊的电性能，在大型高压电子电路中具有重要的应用价值。它的特点是在电路正常工作时，电阻值很高，但当遭受到外部电压冲击或干扰时，电阻值会瞬间下降，起到保护其他电子元器件的作用。
氧化锌（ZnO）压敏陶瓷作为金属氧化物避雷器的核心材料，在电力设备过电压防护领域得到广泛应用。ZnO压敏陶瓷中的各类缺陷对其非线性伏安特性、电位梯度、通流能力等性能有着重要影响，通过掺杂、晶粒尺寸控制、表面处理等手段调控缺陷结构以改善其电性能，是ZnO压敏陶瓷一直以来的研究热点。
研究了铝离子、铟离子共同掺杂对ZnO压敏电阻的微观结构和电学性能的影响。通过X射线衍射、扫描电子显微镜对微观结构进行了表征，通过电流-电压测试、脉冲电流冲击测试和电容-电压测试对电性能进行了评估。
从氧化锌原料料粉开始到制成刷银银片，设计了氧化锌压敏电阻瓷片前段生产工艺流程，详细分析每道工序的技术，讨论了工艺对压敏电阻电性能的影响。
采用传统固相法制备稀土氧化物Gd2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明：随着Gd2O3掺杂量的增加，ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增，非线性系数先增加后减小，而漏电流呈现先减小后增大的变化趋势。
采用固相反应法制备了C3N4掺杂的氧化锌基压敏陶瓷。研究了C3N4掺杂对氧化锌基压敏陶瓷的相成分、显微结构、介电频谱、小电流性能和通流能力的影响。实验发现，C3N4掺杂在氧化锌晶粒长大过程中起抑制作用，随着C3N4掺杂量的提升，氧化锌基压敏陶瓷的压敏电压梯度与非线性系数一并提高。
主要研究了不同方阻对高电阻率太阳能电池片电性能的影响，高电阻率电池片其短路电流(Isc)、开路电压(Uoc)会随着扩散方阻的增大呈线性增长，填充因子(FF) 会随着扩散方阻的增大呈线性减少，而光电转换效率(Eta)会随着扩散方阻的增大先平缓增长至峰值后迅速下降。
本文将讨论如何通过动态电源管理(DPM)实现快速电池充电和提高电池充电性能。DPM帮助避免系统崩溃，并可最大化适配器的可用功率。它可以基于输入电流或者输入电压，或者与电池补充供电模式一起组合使用。本文还会介绍一些延迟电池使用时间的重要设计考虑。
