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压敏电阻两个电极之间都是氧化锌材料,平时就是呈高阻的近似绝缘体。所以压敏电阻就是相当标准的电容器结构。压敏电阻两电极间呈现的电容,在几百pF~几千pF之间,因而它不利于对高频电子系统的保护。对于频率较高的系统的保护,应选择电容低的压敏电阻。文章综述介绍了压敏电阻的电容特性。
化学工程师、化学家和其他科学家都使用电测量技术, 研究化学反应和态势。循环伏安测量 (CV) 是一种电位扫描方法,也是最常用的测量技术。CV 以线性方式扫描电极电位随时间变化,测量流经电路的电流,其一般是 3 电极电化学电池。得到的 I-V 数据提供了与被分析物有关的重要电化学特点。
本文主要介绍了三极管,三极管一般可以分为NPN型三极管和PNP型三极管,NPN型三极管合适把射极接在GND集电极接负载到VCC上,PNN型三极管适合射极接VCC集电极接负载到GND上。
本文主要介绍了三极管,NPN型三极管的三个电极电位的关系,三极管在倒置状态有那么应用,在TTL集成电路中可以作为数据信号输出用的多发射极三极管等。
类似于电容式触摸感应,GestIC 技术采用电子场 (E-field) 感应来检测手势。 电极隐藏于器件外壳,能够实现美观的工业设计,而无需安装孔或其它基于摄像头或红外感应型系统所常见的各种开口.
这次会议将展示一年来我国电压敏元件在性能研究、粉料制备、烧结工艺、新型结构、导体浆料、电极特性、降低残压、脉冲测试、应用研究、雷电防护、国际标准化等方面的发展和最新成就,探讨电压敏元件的发展趋势。为全国从事该领域的有关研究、教育、生产的科技、管理人员提供一个学术与交流的机会,以促
日本东京理科大学驹场慎一教授等人在新一代钾离子电池技术的研发中找到了突破口。研究人员使用石墨电极在不降低性能的情况下成功实现了多次充放电。使用该技术的新型电池有望比锂离子电池的充放电速度提高10倍。
IGBT的优势在于输入阻抗很高,开关速率快,导通态电压低,关断时阻断电压高,集电极和发射机承受电流大的特点,目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。IGBT已经由第三代发展到第五代了,由穿透型发展到非穿透型。
在晶硅太阳能电池生产中,激光器被用于切割硅片和边缘绝缘。电池边缘的掺杂是为了防止前电极和背电极的短路。在这一应用上,激光已完胜其它传统的工艺。例如等离子刻蚀未能满足自动化要求,破损率很高。
美国莱斯大学(RiceUniversity)的研究人员们发现一种可简化太阳能电池制造的方法,只要利用顶部电极作为催化剂,就能将纯硅变成更具价值的“黑硅”(blacksilicon)。