IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是一种结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极结型晶体管）两者优点的器件。它既具备MOSFET的高速特性，又具有BJT的大电流低饱和压降特性。 IGBT通常被用作电路开关，其开关动作是通过激活或停用栅极端子来实现的。当IGBT的正输入电压通过栅极，发射极会保持驱动电路开启。然而，当栅极端电压为零或小于0时，电路会关闭。
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