碳化硅二极管是一种特殊的肖特基二极管,其基本结构包括重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖基触层和欧姆接触层。它的主要优势在于高开关性能、高效率、高功率密度以及系统成本较低。此外,碳化硅二极管还具有零反向恢复时间、低正向压降、电流稳定性、高抗浪涌电压能力和正温度系数等特性。这些特性使得碳化硅二极管适合各种应用中的功率变换器,包括光伏太阳能逆变器、电动车(EV)充电器、电源和汽车应用。 碳化硅二极管的发展离不开碳化硅材料的进步。碳化硅材料具有很多优点,如禁带宽度很大、临界击穿场强很高、热导率
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瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨电子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管,组成电源转换电路。
Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories签署代表其在欧洲以外市场销售创新的碳化硅(SiC)二极管和JFET系列产品的协议。SemiSouth的SiC二极管和JFET可以为太阳能逆变器、电机驱动、电信整流器、UPS、三相逆变器和电动汽车等高功率应用带来显著的效率和耐久性优势。
Power Integrations销售副总裁Ben Sutherland表示:“SemiSouth经久耐用、超高能效的SiC JFET和二极管是我们的产品系列的自然延伸,为我们的适用于众多高功率系统的待机电源的产品,如TOPSwitch™和TinySwitch™,提供了完美的补充。有了SemiSouth的SiC JFET和二极管产品系列后,我们将能够在这些同样应用的主功率
碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。
该系列产品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。