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传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。
在经历过2019年的库存去化，低谷期已经过去了，12吋磊晶硅晶圆已经回温，非常有利于半导体硅晶圆市场的回温，从而带动我国半导体市场的进一步发展。
半导体材料即将改朝换代。$晶圆磊晶层(Epitaxy Layer)普遍采用的矽材料，在迈入10纳米技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善电晶体通道的电子迁移率，提升芯片效能与省电效益，已被视为产业明日之星。
市场研究机构 Yole Developpement 推出超接面金氧半场效电晶体(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，SJ MOSFET)的市场更新报告，深度剖析高压(400伏特以上) SJ MOSFET 市场指标与预测、深沟式(Deep trench)与多磊晶(multi-epi)技术的差异以及新兴业者的
LED磊晶龙头晶电董事长李秉杰昨(28)日表示，第4季产业景气可望优于预期，但大陆业者杀价竞争压力延续，明年「会很辛苦，不容易获利」，预估要到2014年时，市况才会好转。
台湾飞利浦集团总经理柏健生指出，飞利浦在照明产业经营逾百年，外界认为公司对LED照明的积极度不高，但事实上，今年第2季飞利浦照明事业的营收已有20%来自LED照明(不包含LED磊晶、封装的营收)，今年下半年将超过两成。这个数字超过全球LED照明占整体照明的渗透率仅10%~15%的一般水平。飞利浦已认定，LED是照明主流光源趋势，而目前飞利浦在LED照明的全球市占率逾2成，表现已超过飞利浦在传统照明
据台湾媒体报道，中国大陆近年来积极朝上游发展LED产业，据统计，到2010年底，台湾、韩国、日本各地区的MOCVD机台安装比重，分别达到35%、25%-30%、15%-20%，中国大陆MOCVD机台数比重则已接近15%.由于大陆2011年可能还有多达500台以上的MOCVD机台将导入装机，预料此将使中国大陆2011年的MOCVD机台安装比重，提高到30%以上，超越台湾及韩国。
光电科技工业协进会(PIDA)产业暨技术组资深产业分析师郭子菱表示，在饱受2011年需求不振的压力下，为消化库存，具备一定经济规模的上游LED磊晶、晶粒厂商已积极找寻产品的出海口，遂纷纷跳过封装厂，直接与手握采购主导权的下游品牌商洽谈订单，以争取更大的营收。
市场研究机构光电协进会(PIDA)表示，受到液晶显示器最大消费市场的欧美国家景气持续不佳，通路商库存去化速度慢，加上各厂商去年新增产能陆续进入市场，造成价格下跌压力大增，同时韩国企业持续拉高LED产品规格来降低LED的使用颗数，使得台湾厂商营收与利润受创，预估今年台湾LED磊晶与芯片前10大厂商产值总计达新台币470亿元，整体衰退1%左右。
据悉，目前LED市场的终端应用产品需求仍旧不振，影响了LED封装厂商、LED磊晶厂商的营收，并且因为中国各地方政府减少或停止MOCVD机台的补助措施，使得LED磊晶厂商扩充产能的动作都有减少或递延安装机台的现象，近期LED蓝宝石基板的价格出现明显的跌价，几乎又接近了2010年的起涨点水准。
