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用于3G的下一代数字处理器正在向90纳米和65纳米工艺技术演进，这将使供电电源降低到接近1V，我们在系统级的电源设计中将更多的见到DC/DC转换器的身影。
东芝公司(Toshiba Corporation)已经开发出第二代19纳米工艺技术，该技术将于本月晚些时候用于量产每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片。
全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权(IP)供应商新思科技有限公司日前宣布：即日起推出面向多种180纳米工艺技术的DesignWare® AEON®非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)。
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款最新多标准无线基站片上系统 (SoC)，与采用 40 纳米工艺技术开发的现有宏及小型基站 SoC 解决方案相比，其不但可实现 2 倍 的 LTE 性能提升，而且还可将功耗性能比提升 2 倍。TMS320TCI6618 建立在 TI 最新 TMS320C66x 数字信号处理器 (DSP) 系列基础之上，利用战略性的设计使得LTE各种具有明确定义的标准模块得到加
英飞凌科技与台积电(TSMC)日前共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。根据该项协议，英飞凌与台积电将携手开发65纳米工艺技术，用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器(MCU)。
赛普拉斯，市场，采用 65 纳米工艺技术，SRAM
IBM日前联合AMD合作生产出了首批采用22纳米工艺技术的SRAM芯片产品，而这一重磅消息的发布或将挑战英特尔在该领域的领先地位。
