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本文旨在研究在不同煅烧温度下Zn7Sb2O12尖晶石陶瓷的结构和电性能, 采用化学共沉淀法合成了尖晶石Zn7Sb2O12陶瓷粉体，并将陶瓷坯体在1000℃、1100℃和1200℃的空气中煅烧2小时。通过X光衍射（XRD）、电流-电压（E-J）测量和阻抗分析仪研究了Zn7Sb2O12陶瓷材料的结构和电学特性。
封装密度提高后，车灯模组在热管理、信号控制与芯片适配方面问题频发。本届论坛聚焦结构级技术难题，探讨系统设计如何应对工程挑战。
第十六届光储充关键元器件技术创新研讨会将于6月26日举行，全天聚焦光伏、储能与充电桩系统中双向驱动、功率池化、信号链响应与磁集成等结构性挑战。
全球功率半导体市场正经历结构性洗牌！比亚迪半导体实现“异军突起”。作为国内少数实现全产业链IDM模式的车规级企业，比亚迪半导体在多个方面展现出显著优势。
为推进桥梁防腐产业结构发展，紧密结合防腐产业链上下游资源，针对新材料、新技术、新工艺进行交流探讨，满足桥梁防腐市场供求的需要，2025（第六届）桥梁新型防腐工艺技术研讨暨新材料涂料设备展洽会顺势启航，于2025年5月14日- 16日在中国南通隆重召开。
制造自由，正在成为半导体产业的结构能力。这场合作预演了应对高关税政策的生产交付路径重构。
氧化锌（ZnO）压敏陶瓷作为金属氧化物避雷器的核心材料，在电力设备过电压防护领域得到广泛应用。ZnO压敏陶瓷中的各类缺陷对其非线性伏安特性、电位梯度、通流能力等性能有着重要影响，通过掺杂、晶粒尺寸控制、表面处理等手段调控缺陷结构以改善其电性能，是ZnO压敏陶瓷一直以来的研究热点。
研究了铝离子、铟离子共同掺杂对ZnO压敏电阻的微观结构和电学性能的影响。通过X射线衍射、扫描电子显微镜对微观结构进行了表征，通过电流-电压测试、脉冲电流冲击测试和电容-电压测试对电性能进行了评估。
本文采用传统的ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系氧化锌线性电阻，探究了烧结温度对氧化锌基线性电阻的电阻温度系数和微观结构的影响。
英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。
