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氧化锌（ZnO）压敏陶瓷作为金属氧化物避雷器的核心材料，在电力设备过电压防护领域得到广泛应用。ZnO压敏陶瓷中的各类缺陷对其非线性伏安特性、电位梯度、通流能力等性能有着重要影响，通过掺杂、晶粒尺寸控制、表面处理等手段调控缺陷结构以改善其电性能，是ZnO压敏陶瓷一直以来的研究热点。
研究了铝离子、铟离子共同掺杂对ZnO压敏电阻的微观结构和电学性能的影响。通过X射线衍射、扫描电子显微镜对微观结构进行了表征，通过电流-电压测试、脉冲电流冲击测试和电容-电压测试对电性能进行了评估。
本文采用传统的ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系氧化锌线性电阻，探究了烧结温度对氧化锌基线性电阻的电阻温度系数和微观结构的影响。
英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。
半导体行业的发展需要养精蓄锐，但新的发展机遇来临时也要锐意进取。新能源产业的发展应用、新技术的创新推动以及第三代半导体SiC持续渗透，将给半导体行业带来持续性的市场增长。
“双碳”目标下的新能源产业发展，光伏储能技术在其中扮演着重要角色。在持续推进的过程，如何有效提高光伏储能技术，助力能源产业结构调整？
针对电流在压敏电阻体微观结构中的分布进行试验研究。对压敏电阻器芯片施以冲击电流，会在垂直方向上引起压敏参数发生变化且变化小于冲击方向，压敏电压呈对称变化，漏电流增加、非线性指数下降。
两步烧结有利于获得小晶粒、高电位梯度的氧化锌压敏陶瓷，但其两步的温度分别对氧化锌压敏陶瓷烧结过程的影响尚不清楚。本文采用两步法在不同温度下烧结ZnO压敏陶瓷，分析不同温度对氧化锌陶瓷的微观结构与电学性能的影响。
金属结构作为大型机械设备的支持构架，其结构强度是影响机械设备安全可靠运行的关键。随着机械设备朝着大型化、重型化、高速化方向发展，要求设备具有更高安全性，从而突出了结构的强度要求。应力应变测试是研究机械结构强度的重要手段，同时也广泛用于起重机、龙门吊、大型工程机械，以及大飞机上的应
以风光为代表的新能源发电已经被广泛应用，随着风光能源大规模接入电网，其在改善电源结构的同时，波动性和间歇性缺陷所带来的影响也日趋增大。因此在风光等可再生能源的大规模、高质量发展同时，储充技术扮演着关键角色。
