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2013年5月20日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码: IFX / OTCQX代码: IFNNY)进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。
集设计，研发一体的著名功率半导体及芯片制造商万国半导体今天发布两款产品AOTF11C60 和 AOTF20C60 -采用AlphaMOS II 技术的600V MOSFET。 AlphaMOS II(正在申请结构和制程专利)技术集超结技术的低内阻特性与平面工艺的强壮性于一体，是兼顾高效率和高可靠性的理想解决方案。AOTF11C60和AOTF20C60适用于服务器电源、网络通信电源、不间断电源、光伏
英飞凌，超结技术，传统高压器件优势，下一代CoolMOS™ MOSFET 英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超
