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日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出采用DFN3.3x3.3源极朝下（Source Down）封装技术的AONK40202 25V MOSFET。
本文旨在研究在不同煅烧温度下Zn7Sb2O12尖晶石陶瓷的结构和电性能, 采用化学共沉淀法合成了尖晶石Zn7Sb2O12陶瓷粉体，并将陶瓷坯体在1000℃、1100℃和1200℃的空气中煅烧2小时。通过X光衍射（XRD）、电流-电压（E-J）测量和阻抗分析仪研究了Zn7Sb2O12陶瓷材料的结构和电学特性。
Ruby认证代表了标准和监管采用的未来效率路线图，为行业提供了一条提高能源效率的明确途径。
节省空间的设计为恶劣环境提供汽车级高浪涌电流保护
同样是涡轮风扇，有着20万转电机和10000mAh电池配置的酷卡优为何采用多板架构、双层电控设计，甚至在锂电保护部分堆叠8颗MOS？本期Big-Bit将通过实拆酷卡优BL01，对比此前拆过的KICA，分析其元器件选型以及方案设计。
本文论述了压敏电阻瓷片变形机理。根据瓷片变形影响因素，制定相应改善验证，根据改善效果分析了瓷片变形最优改善方法，其中烧结层数、压片方式和垫板平整度对变形均有较好的改善效果，采用压片方式加平整垫板的组合方式可进一步降低变形率并且适合批量化生产，并总结出延长垫板使用寿命的方法。
新款封装采用先进的顶部散热（GTPAK™）和海鸥脚（GLPAK™）封装技术，可满足更高性能要求，并适应严苛环境条件。
Microchip推出集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微处理器;英飞凌带来采用新型硅封装的CoolGaN™ G3晶体管;辰达半导体发布40V N 沟道增强型MOSFET：MDD210N40P。
采用ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系，制备了氧化锌线性电阻。通过改变氧化锌瓷料粉末的煅烧条件以及瓷体的烧结温度，详细研究氧化锌陶瓷线性电阻的温度系数和电阻率变化规律。实验数据显示，氧化锌煅烧温度为1000 ℃，瓷体烧结温度为1240 ℃时，电阻片的电阻率为1165 Ω·cm。
近日，安森美宣布推出Treo平台，这是一个采用先进的65nm节点的BCD工艺技术构建的模拟和混合信号平台。
