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宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 1 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x
Maxim推出采用1mm x 1mm晶片级封装的微处理器(µP)监控电路MAX16072–MAX16074。该系列低功耗器件省去了多个外部电阻以及监测1.8V至3.6V标称系统电压所需的调整电路，具有极高的可靠性和极低成本。
新款器件采用1mm x 0.6mm的SOT-923封装，最大厚度仅为0.43mm，为小信号应用提供了节省空间的解决方案
飞兆半导体P沟道MOSFET采用1mm x 1.5mm WL-CSP封装
