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美国麻省理工学院(MIT)的研究人员们透过在两层铁电材料间夹进高迁移率的石墨烯薄膜，从而实现可直接在光讯号上操作的太赫兹(terahertz;THz)级频率晶片。
日本的华裔存储器专家、富士通半导体系统存储器事业部市场部产品高级经理冯逸新提到，中国已成为富士通集团全球最大的市场，而富士通FRAM铁电存储器的最大市场也是在中国!
随着仪器仪表信息化、智能化的发展，传统机械计量设备已经无法满足信息及时采集的要求。而铁电存储器将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起，它的广泛应用为仪器仪表智能化的开发与发展提供了便利的条件。
近日，德州仪器结合了自身的FRAM铁电经验以及Cortex M0处理器内核，打造出一款真正的0待机功耗MCU，并且唤醒时间仅为400ns，专门面向能源收集等对功耗要求极为苛刻的场景中使用。TI在ISSCC 2013上公开了这项最新的关于MCU的研究成果。
RamtronInternational宣布，推出64Kb、3V内嵌铁电存储器的处理器外围芯片产品FM3130，在微型封装中结合了非易失性铁电存储器FRAM和RTC(实时时钟/日历)功能。FM3130经过简化，可在消费电子和计算机外设应用中减少系统成本和线路板空间，提供常用的诸如如打印机和高清电视(HDTV)等系统所需通用功能，而且无需使用分立器件。
赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码：CY)日前宣布，该公司在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器(F-RAM)产品，提供了市场上最丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。F-RAM是业界最低功耗的非易失性存储器，为赛普拉斯全球速度最快的非易失性静态随机存取存储器提供了有效补充。这种全新组合能够充分满足大量不同应用对于断电时保存数据的需求。赛普拉斯的n
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上海，2012年10月16日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。至今为止，富士通V系列FRAM产品已经涵盖了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V电压范围内工作的FRAM产品，为当今对元器件电压范围要求高的领域提供了设计的方便。作为全球领先的非易失性铁电随机存取存储器
世界顶尖的低功率铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation将在今年2月24至26日于深圳会展中心举行的IIC China 展会上展示F-RAM技术的诸多优势 (展台号：2L19)。Ramtron专家将在展台进行现场演示，并回答有关获奖的MaxArias™无线存储器等半导体解决方案的各种问题。
上海，2012年7月31日 – 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布其FerVID 家族推出用于RFID标签的一款新的芯片-MB89R112。该芯片用于高频RFID标签，带9 KB的FRAM内存。FerVID家族产品使用铁电存储器(FRAM)，具有写入速度快，高频可重写，耐辐射，低功耗操作等特点。新品样片2012年8月起批量供货。
