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赛灵思在全球28纳米FPGA芯片市场，以63%市占率大幅领先对手，并已率先抢进20纳米制程，预期该产品线可望持续保有成长动能，也将成为安驰在2013年的主要成长动力，且因其营收比重持续成长，预期安驰的毛利率表现可望逐季走扬。
应用材料公司在Applied Centura® RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术，继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20纳米节点时将外延沉积从PMOS(P型金属氧化物半导体)向NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管延伸的趋势，推动芯片制造商打造出更快的终端，提供下一代移动计算能力。
【中国，2013年7月9日】——全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(NASDAQ:CDNS) 今天宣布，设计服务公司创意电子(GUC)使用Cadence® Encounter®数字实现系统(EDI)和Cadence光刻物理分析器成功完成20纳米系统级芯片(SoC)测试芯片流片。双方工程师通过紧密合作，运用Cadence解决方案克服实施和可制造性设计(DFM)验证挑战
【中国，2013年5月24日】——全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(NASDAQ:CDNS) 今天宣布，台积电(TSMC)在20纳米制程对全新的Cadence® Tempus™时序签收解决方案提供了认证。该认证意味着通过台积电严格的EDA工具验证过的Cadence Tempus 时序签收解决方案能够确保客户实现先进制程节点的最高精确度标准。
中微半导体设备有限公司称已研发成功第二代单反应台等离子体刻蚀设备。该设备能够用于加工要求最为严格的半导体器件。在不到一年的时间里，中微的Primo SSC AD-RIE刻蚀设备在韩国领先的半导体制造企业中完成了20纳米及以下关键闪存芯片的生产验证。
台积电抗韩计划启动，预定本月20日正式展开20纳米制程量产线装机作业，比预估提早近二个月，估计第2季末投片量产，下半年放量出货。
全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司日前宣布专门用于20纳米及以下先进技术节点的全套新型突破性定制/模拟功能Virtuoso先进节点业已上市。
闪存密度越来越高带来的是更大容量的设备，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得减少闪存芯片的面积不可。镁光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND闪存芯片，采用20纳米制程，TLC闪存技术，裸片面积只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
随着FPGA需求增温，Altera也打铁趁热，计划在年底前推出28纳米SoC FPGA，并于2013年正式导入量产。Altera28、20纳米(nm)现场可编程门阵列(FPGA)壮大发展声势。
赛灵思(Xilinx)宣布旗下20纳米产品的发展策略，其中包括新一代的8系列全部可编程门阵列(All Programmable FPGA)产品和第二代三维(3D)IC和系统单晶片(SoC)元件产品。
