摘要：  中微半导体设备有限公司称已研发成功第二代单反应台等离子体刻蚀设备。该设备能够用于加工要求最为严格的半导体器件。在不到一年的时间里，中微的Primo SSC AD-RIE刻蚀设备在韩国领先的半导体制造企业中完成了20纳米及以下关键闪存芯片的生产验证。

关键字：  中微半导体，LED芯片，

上海和首尔，2013年4月11日电 -- 中微半导体设备有限公司(以下简称“中微”)称已研发成功第二代单反应台等离子体刻蚀设备(Primo SSC AD-RIE)。该设备能够用于加工要求最为严格的半导体器件。在不到一年的时间里，中微的Primo SSC AD-RIE刻蚀设备在韩国领先的半导体制造企业中完成了20纳米及以下关键闪存芯片的生产验证。该韩国客户已正式下单订购，目前正在进行15纳米芯片刻蚀的验证。此前，中微双反应台刻蚀设备Primo D-RIE已在众多亚洲领先的存储芯片和逻辑芯片生产线上确立稳固地位，而中微这款新刻蚀产品延续了Primo D-RIE的创新性。

中微是国内最先进的芯片制造高端设备企业，为全球半导体和LED芯片制造商服务。中微的研发和运营中心位于上海，全球销售和市场中心位于新加坡，其团队由一批来自美国硅谷和亚洲半导体设备领域的专家组成。中微目前的技术成就标志着一个转折点：中微现在所取得的里程碑式的突破，证实了中微完全有能力为客户提供具有高竞争力的设备和技术解决方案，并达到客户最先进芯片的加工要求。更重要的是，中微能够跻身于世界刻蚀设备领域前列，与美国和日本公司竞争。

除了韩国客户以外，中国台湾、日本和其他地区的芯片生产厂商也对中微的Primo SSC AD-RIE刻蚀设备表示了极大的兴趣。事实上，20纳米及以下干法刻蚀所伴随的极大挑战已经将小的刻蚀设备供应商排除出局，仅留下一些佼佼者占主导地位。Primo SSC AD-RIE改变了这种局势，为行业提供了又一新的选择。中微目前正在准备晶片DEMO测试。同时，公司也在和部分客户合作开发15纳米闪存芯片加工工艺和VNAND工艺。

为了支持韩国客户并在韩国地区进一步拓展业务，中微韩国分公司将于今年在韩国当地建立研发中心。

中微董事长兼首席执行官尹志尧博士对韩国客户给予的密切合作表示衷心感谢，这样的合作对于解决先进技术难题的发展必不可少，他指出：“中微对于在韩国当地投资建立研发中心、以更好地服务于韩国本地客户的想法非常赞成，基于这一点，我们正在加快韩国本地化计划，并且通过加强知识产权保护、现场产品改进计划和及时现场技术支持来进一步加速这项计划。”

中微韩国区总经理KI Yoon对中微的本地化策略作出了进一步的说明，他表示：“我们一直努力发展韩国本地的供应商，并寻求可靠的合作伙伴，这将使我们能够更好地服务于客户在韩国本土和中国所建的芯片生产线，这不仅仅是为了韩国市场，而且也是为了全球市场。在技术方面，我们致力于为韩国以及其他国家的客户提供创新的技术解决方案，包括第三代CCP介质刻蚀设备、ICP刻蚀设备以及18英寸刻蚀设备的开发。”