3D NAND Flash 是一种新兴的闪存技术,它通过在垂直方向上堆叠多个存储单元,以实现更高的存储密度和更大的存储容量。3D NAND Flash 相对于传统的 2D NAND Flash 具有更高的存储密度、更快的读写速度、更低的功耗和更好的耐用性等优点。 3D NAND Flash 的基本结构是由许多层垂直堆叠的存储单元组成,每一层又包含了许多行和列的存储单元。通过在垂直方向上堆叠存储单元,可以在不增加芯片面积的情况下增加存储容量。
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