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Micron日前宣布为其相变内存(PCM)组合增加新产品。随着其用于移动设备的45纳米(nm)1Gb基于PCM的多芯片封装(MCP)解决方案的大量顺利出货，本公司现已开始提供512Mb PCM加上512Mb LPDDR2 MCP的样品，为应用需求提供更大的灵活性。Micron还宣布已向全球领先的手机制造商之一Nokia提供1GbPCM，用于他们最近推出的手机。
新思科技公司(Synopsys， Inc)日前宣布：其DesignWare DDR接口IP产品组合已经实现扩充，以使其包括了对基于新兴的DDR4标准的下一代SDRAM。通过在一个单内核中就实现对DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWare DDR解决方案使设计师能够在相同的系统级芯片(SoC)中，实现与高性能或者低功耗SDRAM的连接，它已经成为诸如用于智能手机和平板电脑的应
新思科技公司(Synopsys， Inc.， 纳斯达克股票市场代码：SNPS)日前宣布：其DesignWare DDR接口IP产品组合已经实现扩充，以使其包括了对基于新兴的DDR4标准的下一代SDRAM。通过在一个单内核中就实现对DDR4、DDR3以及LPDDR2/3的支持，DesignWare DDR解决方案使设计师能够在相同的系统级芯片(SoC)中，实现与高性能或者低功耗SDRAM的连接，它已
随着SSD性能的不断提高以及NAND Flash成本的不断下降，SSD已成为填补CPU和机械硬盘之间性能差异的关键设备，使得数据存取路径由传统的CPU->Cache->DDR2/3->HDD转为CPU->Cache->DDR2/3->SSD->HDD，通过在服务器中布置高性能的SATA F3系列SSD，可以显著提高计算机系统的IO存储性能，满足企业数据中心的虚拟化及云计算应用。
日前，凌力尔特公司推出高效率双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3876，该器件为 DDR1 / DDR2 / DDR3 以及未来的标准存储器应用产生 VDDQ 电源电压、VTT 总线终端电压和 VTTR 基准电压。
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2011 年 12 月 16 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3876，该器件为 DDR1 / DDR2 / DDR3 以及未来的标准存储器应用产生 VDDQ 电源电压、VTT 总线终端电压和 VTTR 基准电压。
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款高效率、双通道、单片式、同步降压型开关稳压器 LTC3618，该器件能够为 DDR / DDR2 / DDR3 及未来需要供应和吸收电流的标准存储器应用产生电源电压和总线终端电压。
双倍数据速率内存(DDR)和DDR同步动态随机存储器(SDRAM)在很多计算和嵌入式应用中非常流行。该技术最初由美国电子器件工程联合委员会(JEDEC)发起，从上世纪90年代末的DDR内存规格逐步发展，并在2000年到2003年间陆续发布多个版本，最终形成DDR1和DDR SDRAM。
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、单片同步降压型开关稳压器 LTC3617，该器件能够为 DDR / DDR2 / DDR3 及未来需要供应和吸收电流的标准存储器应用产生一个总线终端电压。
