DRAM(Dynamic Random Access Memory)芯片即动态随机存取存储器芯片,是一种半导体存储器。以下是关于它的详细介绍: 基本结构与工作原理: 结构:DRAM 芯片的基本存储单元通常由一个晶体管和一个电容器组成。晶体管用于控制电容器的充电和放电,电容器则用来存储数据。电容器可以被充电或放电,这两种状态分别代表二进制数据中的 “1” 和 “0”。 工作原理:当对 DRAM 芯片进行读操作时,字线被激活,晶体管导通,使得电容器中存储的电荷可以被读出放大器检测到,并将数据输出到数据总线上
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据IHS iSuppli公司的移动与嵌入存储市场报告,手机和平板电脑等产品中的移动DRAM芯片密度急剧增加,营业收入持续上升,彰显该领域在总体存储产业中的重要性,以及美光最近收购尔必达的意义。
三星和美光在共同声明中表示,DRAM芯片制造商应该开始向名为“hybrid-cube”的混合内存芯片技术过渡,该技术就是将一个芯片叠加到另一芯片之上。新技术将使得内存芯片更快、更高效的向处理器提供数据。
尔必达方面表示,尔必达开发的超薄DRAM芯片将会让智能手机等移动设备的厚度大幅度降低同时容量大幅度的增加,而且其成本和目前1mm厚度的DRAM完全相同,也就是说更薄的设计并没有让智能手机厂商付出更多的成本,对于喜欢超薄式设计的用户来说尔必达的超薄DRAM也是有相当好的市场前景的。
日本尔必达与台湾瑞晶公司近日发表联合声明称两家公司已经成功完成了4F2架构设计1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的试产,这次试产是由瑞晶的研发中心主导的。瑞晶的研发中心自去年开始正式运作,他们一直在和尔必达公司一起研发4F2 DRAM芯片产品。两家公司目前已经合力成功制造出了基于65nm设计准则的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片产品。
据iSuppli市调公司发布的调查报告显示,内存业界生产DRAM芯片的平均制造成本出现了四年以来的首次正增长。
据了解,iSuppli警告称,DRAM内存芯片供应紧张将导致今年下半年这类芯片价格上涨。消费者面临的风险是PC价格可能上扬。
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