尔必达宣布开发出全球最薄DRAM芯片
2011-06-23 09:59:33
来源：大比特半导体器件网
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摘要： 尔必达方面表示，尔必达开发的超薄DRAM芯片将会让智能手机等移动设备的厚度大幅度降低同时容量大幅度的增加，而且其成本和目前1mm厚度的DRAM完全相同，也就是说更薄的设计并没有让智能手机厂商付出更多的成本，对于喜欢超薄式设计的用户来说尔必达的超薄DRAM也是有相当好的市场前景的。
最新的消息显示，日本知名的半导体厂商尔必达以及尔必达的子公司秋田尔必达共同宣布，目前已经开发出全球最薄的动态随机存储器DRAM芯片，4块DRAM芯片叠起来的厚度也只有0.8mm，这样的超薄DRAM芯片对于移动设备而言将会是相当不错的选择。
尔必达方面表示，尔必达开发的超薄DRAM芯片将会让智能手机等移动设备的厚度大幅度降低同时容量大幅度的增加，而且其成本和目前1mm厚度的DRAM完全相同，也就是说更薄的设计并没有让智能手机厂商付出更多的成本，对于喜欢超薄式设计的用户来说尔必达的超薄DRAM也是有相当好的市场前景的。
尔必达透露超薄DRAM将会由秋田尔必达的工厂生产，而今年第三季度将会正式出货，而采用这种超薄DRAM的相关设备也将会在年内正式上市销售，届时用户就能够体验到由超薄DRAM所带来的拥有出色和超薄设计的产品。
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