有关“GaAs”的最新话题，搜索262 次
在生产制作电子元器件过程中，绝对少不了半导体材料，而功率器件则是其中一种，只不过，它与第一代半导体材料，例如Ge、Si ，第二代半导体材料，例如GaAs，不尽相同，它被称为第三代半导体材料，更多被用于微波器、雷达、电台等领域，但功率器件有什么特性呢？看完你就了解了。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 8 月7 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布采用小尺寸、低高度封装的两个新系列10mm标准表面贴装7段LED数码管---VDMx10x0和VDMx10A1系列，这两款数码管在GaAs芯片技术基础上使用了AllnGap材料，使发光强度达到2750μcd典型值，有大红色、浅橙色、黄
RFaxis， Inc日前宣布，该公司的单刀三掷(SP3T)开关RFX333已投入量产。这款开关专为用于智能型手机、平板计算机等行动装置的2.4GHz Wi-Fi/Bluetooth组合芯片而最佳化。RFX333采用业界最具成本效益优势的bulk CMOS技术研发和生产，可与当前市场上采用的使用昂贵的砷化镓(GaAs)或绝缘硅片(SOI)制程的现行解决方案实现引脚兼容。
在满足宏蜂窝基站性能要求的前提之下，集成度究竟能够达到多高? 工艺技术仍然限定某些重要的功能部件必须采用特殊工艺来制造：在射频 (RF) 领域采用GaAs 和 SiGe 工艺，高速 ADC 采用细线 CMOS 工艺，而高品质因数 (High-Q) 滤波器则无法采用半导体材料很好地实现。此外，市场对于提高集成度的需求并没有停止。
飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。
近日，德克萨斯州奥斯汀讯-射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体 (NYSE: FSL) 日前推出一种先进的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 控制电路，专门用于优化飞思卡尔 Airfast Doherty 放大器的性能。
斯坦福大学发布了首款由碳纳米晶体管组成的电脑芯片。硅晶体管早晚会走到道路的尽头。晶体管越做越小，以至于它不能够容纳下足够的硅原子来展示硅的特性。碳纳米管(CNT)，锗化硅(SiGe)，砷化物(GaAs)都是可能的替代品。碳纤维纳米管具有良好的传导性，体积小，并且能在刹那间开关。它拥有比肩石墨烯的电气属性，但是制造半导体的难度却小很多。这也是为什么短期内大家更看好碳纳米管，而非石墨烯。
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出完整、经济高效的 Ka 波段砷化镓 (GaAs) 射频芯片组--- TGA4541-SM、TGA4539-SM和TGC4408-SM、TGC4407-SM，用以支持甚小口径终端 (VSAT) 卫星通信系统的要求。该系列包括可变增益驱动放大器、1 W GaAs 单片微波集成电路 (MMIC) 功率放大器、分谐波上
中国 上海- 2012年10月17 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出完整、经济高效的 Ka 波段砷化镓 (GaAs) 射频芯片组--- TGA4541-SM、TGA4539-SM和TGC4408-SM、TGC4407-SM，用以支持甚小口径终端 (VSAT) 卫星通信系统的要求。该系列包括可变增益驱动放大器、1 W GaAs 单片微波
安捷伦科技公司日前宣布推出先进设计系统(ADS)射频和微波 EDA 平台的全新主要版本 ADS 2012。 ADS 2012 具备新的功能，提升了所支持应用的设计效率，并为 GaAs、GaN 和硅基材料射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。
