MOSFET,全称为金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),是一种广泛应用于模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,其应用范围涵盖了通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。 在MOSFET产品中,有一种特殊的产品叫做IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即绝缘栅双极型晶体管。IGBT是由双极型
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英飞凌科技股份公司推出600V CoolMOS™ 8高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7和S7产品系列的后续产品。
英飞凌科技股份公司正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合,在40V产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件,并且推出了80V和100V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。
真茂佳亮相四个系列MOSFET产品方案
TRINAMIC推出适用于步进电机的全新MOSFET产品线,与热门预驱动芯片互补的MOSFETs,专为大电流电机应用而设。
恩智浦半导体近日推出54款符合汽车工业标准并采用LFPAK56封装的全新MOSFET——是目前市场上最全的Power-SO8 MOSFET产品组合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有业界领先的性能和可靠性,与DPAK相比还可节省超过55%的尺寸面积,从而能大幅降低总成本。
瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品,包括经过最佳化的μPA2766T1A,做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
东芝于日前扩充了耐压(漏源间电压)为-12V的p通道MOSFET的产品线。此次推出的新产品是采用封装面积为2.0mm×2.0mm的SOT-1220(UDFN6B)封装的“SSM6J505NU”,以及采用封装面积为1.6mm×1.6mm的SOT-563(ES6)封装的“SSM6J216FE”。
2012年11月19日 – Mouser Electronics, Inc.正在备货Vishay Siliconix的第一款MOSFET产品,其额定导通电阻低至1.2V并采用了业界最小尺寸的芯片级封装。
Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布,推出全新电源转换控制器系列及其首个功率MOSFET器件系列。该全新脉宽调制(PWM)控制器与配套的低品质因数(FOM)MOSFET产品系列组合支持高效的DC/DC电源转换设计,涵盖了广泛的消费电子和工业应用。这两个全新系列彰显了Microchip对于其实现更高电压、更高效率及行业趋向的更小电源转换系统这一承诺的显著进步。