东芝扩充12V耐压p通道MOSFET产品线，用于便携终端充电开关
摘要： 东芝于日前扩充了耐压(漏源间电压)为-12V的p通道MOSFET的产品线。此次推出的新产品是采用封装面积为2.0mm×2.0mm的SOT-1220(UDFN6B)封装的“SSM6J505NU”，以及采用封装面积为1.6mm×1.6mm的SOT-563(ES6)封装的“SSM6J216FE”。
东芝于日前扩充了耐压(漏源间电压)为-12V的p通道MOSFET的产品线。此次推出的新产品是采用封装面积为2.0mm×2.0mm的SOT-1220(UDFN6B)封装的“SSM6J505NU”，以及采用封装面积为1.6mm×1.6mm的SOT-563(ES6)封装的“SSM6J216FE”。新产品的特点是都支持大电流，SOT-1220封装产品的最大漏电流为-12A，SOT-563封装产品为-4.8A。据东芝介绍，此次推出新产品的背景是，“随着便携式电子产品的高功能化，电池容量不断增加，同时充电电流也趋于增大”。新产品主要用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机和数码摄像机等的充电开关和功率管理开关。
SOT-1220封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5V时为9mΩ(标称值)，在-2.5V时为11mΩ(标称值)，在-1.2V时为18mΩ(标称值)。栅极电荷量为37.6nC(标称值)。输入容量为2700pF(标称值)。反馈电容为800pF(标称值)。输出容量为800pF(标称值)。
SOT-563封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5V时为26.0mΩ(标称值)，在-2.5V时为31.5mΩ(标称值)，在-1.5V时为49.0mΩ(标称值)。栅极电荷量为12.7nC(标称值)。输入容量为1040pF(标称值)。反馈电容为180pF(标称值)。输出容量为200pF(标称值)。
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