英飞凌推出OptiMOS™ 6 200V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准
【2024年3月20日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出OptiMOS™ 6 200V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰(EMI)和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统(ESS)、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区(SOA)和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。
无铅OptiMOS™ 6 TO
与上一代OptiMOS™ 3相比，OptiMOS™ 6 200V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS™ 6 200V的软度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多，且Qrr(typ)降低了89%，使开关和EMI性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度(Coss和Crss)，减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的VGS(th)分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了MOSFET并联的数量。
OptiMOS™ 6 200V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅，满足当前行业标准的要求。
供货情况
OptiMOS™ 6 200V MOSFET产品提供多种封装，包括PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P，适用于各种应用。所有型号目前均可订购。
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