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英飞凌推出OptiMOS™ 6 200V MOSFET,以更高的功率密度和效率树立行业新标准

2024-03-20 15:31:31 来源:英飞凌 点击:2288

【2024年3月20日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS™ 6 200V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善,降低了电磁干扰(EMI)和开关损耗,有益于用于服务器、电信、储能系统(ESS)、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外,凭借宽安全工作区(SOA)和业界领先的RDS(on),该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性,树立了新的行业标准。

无铅OptiMOS™ 6 TO

无铅OptiMOS™ 6 TO

与上一代OptiMOS™ 3相比,OptiMOS™ 6 200V产品组合具有更加强大的技术特性,其RDS(on)降低了42%,有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面,OptiMOS™ 6 200V的软度大幅提升至OptiMOS™ 3的三倍多,且Qrr(typ)降低了89%,使开关和EMI性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度(Coss和Crss),减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的VGS(th)分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享,使温度变得更加均匀且减少了MOSFET并联的数量。

OptiMOS™ 6 200V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅,满足当前行业标准的要求。

供货情况

OptiMOS™ 6 200V MOSFET产品提供多种封装,包括PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P,适用于各种应用。所有型号目前均可订购。

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