MOSFET,全称金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),也被广泛称为MOS管。MOSFET因其独特的工作特性和广泛的应用领域,成为当前最广泛应用的半导体器件之一。 MOSFET的基本结构包括有源区(source)、漏区(drain)和栅区(gate)。通过改变栅极的电压,可以改变沟道中的载流子浓度,从而改变源漏间的电导。根据导电方式,MOSFET可分为耗尽型和增强型;而根据沟道类型,MOSFET又可分为N沟道
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英飞凌科技股份公司推出600V CoolMOS™ 8高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7和S7产品系列的后续产品。
瑞森半导体进一步壮大和完善超结(SJ)MOSFET系列,推出600V超结功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型号。2枚新品各自具备核心优势,为国内少有产品型号 ,技术领航市场。
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品,拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET,这一突破900V SiC使我们的产品的新市场通过扩大我们在终端系统解决功率范围。
东芝公司宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构,实现了最高级别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出汽车级COOLiRFET ® MOSFET系列,为重载应用提供基准导通电阻 (Rds(on)),这些应用包括电动助力转向系统 (EPS)、刹车系统以及其他用于内燃机 (ICE) 和微混合动力车辆平台的重载应用。
凭借在功率MOSFET领域的领先地位,恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)近日推出了其NextPower Live产品组合,设计出专门用于“热插拔”环境的全新线性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同时提供出色的线性模式性能和极低的RDS(on)值,该独特组合展示了恩智浦在该领域的技术能力。
服务器、电信、计算等高端的AC-DC开关模式电源(SMPS)应用以及工业电源应用需要较高的功率密度,因此要获得成功,设计人员需要采用占据更小电路板空间并能提高稳定性的高性价比解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N沟道SuperFET II MOSFET系列产品,帮助设计人员解决这些挑战。
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N沟道SuperFET® II MOSFET系列产品,帮助设计人员解决这些挑战。
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出具有超低导通电阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列,适合各种工业应用,包括电池组、逆变器、不间断电源 (UPS) 、太阳能逆变器、叉车、电动工具、代步车,以及ORing和热插拔应用等。