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新品上市|瑞森半导体超结(SJ)MOSFET系列,再添优势产品,领航国内技术。

2023-08-07 15:06:48 来源:瑞森半导体 点击:3409
Big-Bit 商务网

瑞森半导体进一步壮大和完善超结(SJ)MOSFET系列,推出600V超结功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型号。2枚新品各自具备核心优势,为国内少有产品型号 ,技术领航市场。

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市场上70mΩ的超结(SJ)MOSFET产品,芯片面积超出TO-220F载芯面积,常规均采用TO-247封装,瑞森半导体新产品RSF60R070F采用专有的晶胞结构和特殊工艺流程,进一步优化产品设计,在Rdson不变的情况下,有效减小芯片面积,满足TO-220F/TO-263等封装外形,从而大幅减少器件在PCB线路板上占用的空间(TO-220F与TO-247封装外形相比,整体尺寸节约50%),助力小型化产品的应用。

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RSF60R070F实测耐压为600V,导通电阻仅为58mΩ,使得MOS管在导通状态下实现更小的功率损耗和更高的效率,同时成本也随之下降,为客户提供低成本设计方案。该款产品主要适用于电源、电机控制、逆变器和其它高压开关应用等。

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产品优势:

■常规产品封装为TO-247,而RSF60R070F为TO-220F封装,做到大电流小封装;

■有效减小芯片面积,大幅减少器件在PCB线路板上占用的空间;

■内置FRD,适应LLC线路,并适合多管应用;

■具有更快的开关速度,更低的导通损耗;

■极低的栅极电荷(Qg),大大提高系统效率;

■优异的EMI性能

瑞森半导体具备超小内阻的新品RSF60R026W,目前市场上硅基超结MOS最小内阻为30mΩ左右。瑞森半导体基于丰富的超结MOS开发经验,开发出实测耐压为600V,导通电阻典型值20mΩ的超结(SJ)MOSFET,导通电阻减少了33% ,提高了开关性能,进一步降低功率损耗,可以极大提升整机电源的转换效率。RSF60R026W适用于连续导通模式功率因数校正(PFC)、双管正激、LLC和太阳能升压等拓扑线路,典型应用于太阳能、服务器、电信设备和UPS(不间断电源)等。

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产品优势:

■实现超小内阻,能做到RDS(ON)典型值20mΩ

■导通电阻减少了33% ,降低功率损耗,进一步提高效率;

■内置FRD,适应LLC线路,并适合多管应用;

■100%雪崩测试;

■低栅极电荷、低导通电阻;

■优异的EMI性能

瑞森半导体在超结(SJ)MOSFET系列上持续投入研发,现有产品包括内置ESD系列(RSE****)、内置FRD系列(RSF****),耐压涵盖 600V 、650V、700V、800V 等,导通电阻从20mΩ到1000mΩ,全系列均具有出色的导通电阻特性,可提高效率和易用性,同时显著降低开关和传导损耗。性能对标国际品牌,助力国产化,已在市场具备知名度和美誉度。瑞森半导体将持续升级超结(SJ)MOSFET系列,满足不同客户的应用需求。

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瑞森半导体将继续开发导通电阻更低、功能更完善的产品,降低功率损耗,满足各种应用场景,助力客户提升整机电源转换效率。瑞森半导体600V超结(SJ)MOSFET---RSF60R070F型号和RSF60R026W型号已上市,诚邀全球客户咨询。

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