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东芝于日前扩充了耐压(漏源间电压)为-12V的p通道MOSFET的产品线。此次推出的新产品是采用封装面积为2.0mm×2.0mm的SOT-1220(UDFN6B)封装的“SSM6J505NU”，以及采用封装面积为1.6mm×1.6mm的SOT-563(ES6)封装的“SSM6J216FE”。
Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器件，体积较同类器件纤薄50%。
瑞萨电子宣布推出低功耗P通道MOSFET，可提高笔记本电池的功率效率
2012年2月16日，瑞萨电子株式会社今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)系列产品，包括用于笔记本电脑中锂离子(Li-ion)二级电池的充电控制开关和与AC适配器进行电源转换的电源管理开关等用途进行最佳化的µPA2812T1L。
Vishay Siliconix，业界最低，导通电阻，新型第三代，20V P通道，TrenchFET®，功率MOSFET Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其导通电阻在采用PowerPAK® 1212-8型封装的产品中是最低的。器件的占位面积为3.3mm x 3
茂达电子，降压式，转换器LED驱动IC，APW7086 APW7086是一颗内建P通道100mΩ的2安培降压式转换器LED驱动IC，此转换器使用电流控制模式，宽广的输入范围可从4.5~26V，且输出范围可从0.2V至90%VIN。APW7086使用外部电阻调整LED的电流，并可藉由EN pin 来控制LED的亮度，适合用于驱动3~5W MR16高功率LEDs APW7086具有PSM/PWM的操作
