RF功率晶体管是一种电子器件,用于在射频(RF)频段内放大信号。它通常具有高频率、高输出功率、高效率和高可靠性等特性,被广泛应用于无线通信、雷达、电子战等领域。 RF功率晶体管的工作原理是通过控制输入信号的幅度和频率,来控制晶体管的导通和截止,从而实现信号的放大。在RF频段内,由于信号的频率较高,因此需要使用特殊的设计和材料来减小晶体管的寄生效应和损耗。 RF功率晶体管可以采用不同的材料和结构,如硅、锗、砷化镓等。其中,硅材料具有高可靠性、低成本和成熟的制造工艺等优点,被广泛应用于中低频段的RF功率
有关“RF功率晶体管”的最新话题,搜索23 次
中国移动日前在其官方网站正式公布了2013年TD-LTE无线主设备的招标公告,此次集采涉及全国31个省市,采购规模约为20.7万个基站,共计55万载扇。与此同时,中移动还启动了2013年首次TD-LTE 4G终端集采,规模为20.65万部。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用,ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的
飞思卡尔半导体日前推出两个LDMOS RF功率晶体管,允许无线基站放大器覆盖整个分配频带中的所有通道。
飞思卡尔半导体公司今天以合理的性价比点,面向OEM(原始设备制造商)推出三款先进的工业RF功率晶体管。 增强的耐用性与领先的RF性能结合,使OEM厂商能够大幅缩减在工业和商用航空航天领域的系统级设计成本。
飞思卡尔半导体引入两个末级LDMOS RF功率晶体管,为设计人员提供介于分离式和集成式电路解决方案之间的选择。此选择随同提供两个参考设计,为设计人员带来更好的灵活性,并且有助于缩短上市时间。新晶体管经过优化,用于基于时分同步码分多址技术(TD-SCDMA)的功率放大器。而TD-SCDMA则是目前中国国内广泛部署的第三方无线标准,同时其他市场也正在考虑使用该技术。