SiC外延晶片是指在碳化硅衬底的基础上，经过外延工艺生长出晶格一致、高纯度、低缺陷的特定单晶薄膜。由于采用升华法制备的单晶衬底无法实现对载流子浓度的精密控制，且无法有效降低晶体缺陷，因此需要在衬底上生长高质量的外延层方可用于器件制造。外延层的生长可以消除许多缺陷，使晶格排列整齐，表面形貌得到改观，生长出新的半导体晶体层，能够影响器件的基本性能。 SiC外延晶片在电力电子、半导体等领域具有广泛的应用。以SiC二极管和SiC MOSFET为例，这些器件采用SiC外延晶片作为关键材料，具有耐高温、耐高压、开
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