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Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新的100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术，在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。此外，该器件的导通电阻与栅极
Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率 MOSFET 刷新了业界最佳导通电阻记录 日前，Vishay Intertechnology， Inc.推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，从而扩展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK® SO-8
