Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率 MOSFET 刷新了业界最佳导通电阻记录
2008-10-29 11:02:30
来源：大比特资讯
该器件提供了 89.25nC 的业界最佳导通电阻与栅极电荷乘积 FOM
日前，Vishay Intertechnology， Inc.推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，从而扩展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK® SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘积。
SiR476DP 在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻为 2.1m，在 10V 栅极驱动时最大导通电阻为 1.7m。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对 MOSFET 的关键优值 (FOM)，在 4.5V 时为 89.25nC。
与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5V 及 10V 时导通电阻分别低 32% 与 15%，FOM 低 42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。
Siliconix SiR476DP 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 OR-ing 应用中作为低端 MOSFET。其低导通及低开关损失将使稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。
Vishay 还推出了新型 25V SiR892DP 及 SiR850DP n 通道 MOSFET。这些器件在 4.5V 时提供了 4.2m 与 9m 的导通电阻，在 10V 时为 3.2m 及 7m，典型栅极电荷为 20nC 及 8.4nC。所有这三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封装类型。这些器件无铅 (Pb)，无卤素，并且符合 RoHS，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，SiR476DP、SiR892DP 及 SiR850DP 的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。
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