Ramtron宣布推出8-Mb并口非易失性F-RAM存储器
节省空间的球栅阵列封装提供F-RAM之引脚兼容升级路径
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM) 和集成式半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统，以及各种基于SRAM的系统设计。
Ramtron 市场推广经理Mike Peters 称：“这款8-Mb F-RAM 并口存储器，以及我们最近发布的4-Mb FM22LD16，都是设计用来满足客户在写入密集型数据应用中对更高存储容量的需求。这两款产品具引脚兼容特点，易于实现存储容量升级。系统设计人员使用FM23MLD16，在与TSOP32 封装相同大小的PCB空间上可将F-RAM 密度提高7倍。”
产品主要特性
FM23MLD16是512K×16 的非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，访问时间为60ns，一个访问周期为115ns。该器件以 ‘无延迟’ (NoDelay)的特点按照总线速度进行读写操作，擦写寿命至少为1E14 (100万亿) 次，并提供10年的数据保存能力。
相比需以电池供电的 SRAM (BBSRAM)，FM23MLD16无需电池即可进行数据备份，性能更出众。作为真正的表面封装焊解决方案，FM23MLD16无需象电池备份的SRAM那样需要与电池相关的返工步骤，而且具有更高的耐潮性、抗冲击和抗振动能力，使F-RAM成为要求严苛的工业应用的理想选择。FM23MLD16包含低电压检测功能，当电源电压低于临界阈值时，便会阻止对存储器的访问。从而防止存储器在这种情况下出现的不当访问，避免数据破坏。
此外，FM23MLD16具有通用的与高性能微处理器相连的接口，兼具高速页写模式，能以高达33MHz的速度进行8字节并发(Burst)读写操作。FM23MLD16器件的读/写工作电流为9mA，待机模式下典型电流值仅为180µA，而在整个工业温度范围内 (-40℃至+85℃) 的工作电压为2.7V至3.6V。
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