C奥地利微电子推出新型双路、超低电压噪声LDO，兼具出色的电源抑制比
2009-11-10 09:35:53
来源：大比特半导体器件网
双路、低压差稳压器AS1374理想适用于各种便携式电池供电设备。低噪声和卓越的PSRR使射频设计师能够实现最佳的系统性能。
全球领先的通信、工业、医疗和汽车领域模拟集成电路设计者及制造商奥地利微电子公司推出双路LDO AS1374，扩展了旗下的低压差稳压器产品线。AS1374的每路输出可提供高达200mA的连续负载电流。
奥地利微电子消费及通信部门市场总监Bruce Ulrich表示：“AS1374双路低压差稳压器，是RF、手机相机、无线基站和PA偏置电源等需要低噪声电源供电的理想选择。它在基于射频的设计中所展现的优越性能为工程师提供了所需的充分设计裕量，同时保持了整个系统的完整性。AS1374可提供低压差及低静态电流，这款双路超低电压噪声LDO理想适用于任何电池供电设备，并扩充了我们超低噪声LDO产品线。”
奥地利微电子的AS1374工作电压为2-5.5V，适合便携式电池供电应用。AS1374为匹配低成本、小容量陶瓷电容而优化和设计，每路输出为200mA负载电流时提供120mV的低电压降。AS1374可提供1.2V至3.6V的预编程输出电压（编程步长为50mV）。该器件采用先进的架构，以实现20μVRMS的超低输出电压噪声和优于85dB（在1kHz时）的电源抑制比。2个高电平有效使能引脚可以独立开启或关闭每路输出。
任何负载情况下，AS1374仅需要1μF输出电容即可稳定工作。该器件采用6焊球WLP封装。
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