RFMD®扩展其发射模组系列以用于入门级3G手机

2010-02-26 09:45:55 来源:大比特半导体器件网 点击:1215

新方案支持Qualcomm、Infineon及ST-Ericsson芯片组

作为高性能射频元件和复合半导体技术的设计和制造方面的全球领导者之一的RF Micro Devices, Inc.公司,即日宣布为其 3G 发射模组系列新添了四款新产品。

四款新产品–RF3230、RF3231、RF3232及RF3171–专为加快3G入门级 手机的部署而设计的,其支持WCDMA的1到2频段和GSM/GPRS的2到4频段(也被 称之为WGPRS)。每个新的发射模组(TxM)具备一个GSM/GPRS功率放大器(PA)和一个整合的pHEMT开关以支持紧迫的3G线性需求,由此通过提供一个整合的且低成本方案替代分立的 RF 前端器件。

RFMD蜂窝产品部(CPG)总裁Eric Creviston 出,“当前我们的客户正在积极地将智能电话级别的功能带到大众化手机上,RFMD即率先推出了广阔的产品系列,其在成本和功能上为新兴市场和高增长市场的应用作了优化。我们预计很多客户将采用该新产品系列,且期望在2010年的3G设备领域会有强劲增长。”

RFMD的RF3231和RF3232已为了支持Infineon和其他主要开放市场3G芯片组供应商而作了优化。RF3231是双-频段GSM/GPRS TxM ,其具备一个低损耗宽带发射/接收(TRx)端口和两个可互换的GSM Rx端口。RF3231还具有一个整合的开关、一个整合的谐波过滤器及RFMD已获专利的PowerStar®整合功率控制技术。

RF3232的大部分功能与RF3231相同,不同的是增加了一个附加的宽带TRx 端口及相关功能。RF3230是四-频段TxM,具备两个低损耗宽带TRx端口和4个可互换的GSM Rx端口。RF3171增添了大信号极化(Large Signal Polar)EDGE 能力,且为支持 Qualcomm 和 ST-Ericsson 3G 芯片组而作了优化。

RFMD 为业界提供最广泛和最创新的射频元件产品组合,这些包括蜂窝功率放大模组、蜂窝发射模组、蜂窝开关和过滤器模组,以及针对Wi-Fi、WiMAX 及GPS方面应用的前端。RFMD的3G应用方面的产品组合涵盖所有主要的RF架构,包括现有的特定模式/特定频段和特定模式/多频段架构,新出现的多模式/多频段以及聚合架构。RFMD 还提供基于 2G/2.5G 功率放大器的广泛产品组合和为 3G 手机优化的基于开关的元件,乃至提供全面 RF 产品组合以涵盖整个无线前端。

RFMD 广泛产品组合使新一代节能、小巧且低成本的智能电话、蜂窝手机及其它移动设备成为可能。

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