安森美半导体扩充高压功率方案系列
2010-04-09 09:26:17
来源：大比特半导体器件网
推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET
创新的单片设计提供更高的系统能效及更低的电磁干扰(EMI)噪声
2010年4月8日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(m)、3 m及5 m的最大导通阻抗(RDS(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及12.2 nC，确保开关损耗也保持最低。
安森美半导体这些新的功率MOSFET典型应用包括用于服务器、电信网络设施、个人计算机(PC)、笔记本电脑及游戏机的直流-直流(DC-DC)转换、负载点(POL)转换及低端开关操作。
安森美半导体功率MOSFET业务部副总裁兼总经理Paul Leonard说：“集成肖特基二极管借助于集成在与初级FET结构相同的裸片中，减小死区时间导电损耗，因而提升能效及改善波形。这些新的器件为客户提供更宽阵容的产品及方案，解决他们独特的设计挑战。”
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