Vishay Siliconix发布首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET
在紧凑的3.3mmx3.3mm占位面积内，该器件具有业内同类30V MOSFET中最低的导通电阻，在10V和4.5V下的导通电阻分别为7mΩ和11mΩ
宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 5 月 5 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。
新款Si7625DN可用于笔记本电脑、上网本和工业/通用系统中的适配器、负载和电池开关。适配器开关(在适配器、墙上电源和电池电源之间切换)通常是开启并且吸收电流。Si7625DN更低的导通电阻意味着更低的功率损耗，节省能源，延长两次充电之间的电池寿命，同时还可以减少发热，减小PCB焊盘的面积。对于工业/通用系统中的电压达24V的负载切换和热插拔应用，该MOSFET的低导通电阻还可以减小电压降。
Si7625DN在10V和4.5V下的导通电阻低至7mΩ和11mΩ，这些数值比此前3.3mmx3.3mm占位面积的30V器件在10和4.5V下的导通电阻分别低30%和39%。
新款MOSFET采用了Vishay此前发布的30V P沟道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO-8封装。为满足工业应用的要求，第三代TrenchFET封装让设计者可在具有最大漏电流和功率耗散的PowerPAK SO-8(分别比SO-8高85%和79%)或节省空间的PowerPAK 1212-8之间进行选择。由于占位只有3.3mmx3.3mm，该器件的占位面积只有PowerPAK SO-8或SO-8型封装的1/3。
MOSFET进行了完备的Rg和UIS测试，符合ROHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21的无卤素规范。
新款Si7625DN TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，将于2010年第二季度实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。
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