美光推出新型内存支持基于英特尔处理器的平板电脑和上网本
新型2Gb 50纳米DDR2内存
为即将上市的英特尔Intel® 凌动平台带来关键优势
2010年7月29日，北京讯
美光科技 (Micron Technology， Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的理想存储解决方案。
美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点， 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提高，采用50纳米制程更有助于降低功耗，并减少内存占用（memory footprint）。
美光DRAM营销副总裁Robert Feurle指出： “美光2Gb 50纳米DDR2器件正是英特尔将推的基于Intel® 凌动 的Oak Trail 平台的最佳搭配。它功耗低、 内存容量高和高性能特性适合繁荣的平板电脑市场。除此之外，美光也正不遗余力地开发50纳米系列产品，以继续支持客户在这项技术上的创新。”
英特尔移动事业群（Mobile Product Group）总监 Erik Reid 认为，“即将推出的 Intel® 凌动 ” Oak Trail 平台是为平板电脑和上网本的轻巧设计而量身打造的。Oak Trail 耗电低且具备适合多任务、丰富媒体（rich media）和互联网环境的性能，这些特性和优势结合美光的2Gb 50纳米DDR2内存，为满足双方客户的设计需求提供了强大的解决方案。”
美光为客户开发的DDR2内存维持一贯对质量的高要求，提供优异的性能和多种配置、容量和封装的选择。最新型50纳米DDR2系列产品包括：
从512Mb到2Gb多种容量器件可供选择，提供X4/X8/X16封装
从1GB到4GB的UDIMM及SODIMM 高容量模块配置
传输率高达800 MT/s，为更高的总线速度（Bus Speed）提供迁移路径
支持1.55伏特电压，降低内存系统耗电
供货情况：
美光预计于2010年9月开始提供2Gb 50纳米DDR2内存样片，计划于2010年第四季度正式量产。
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