Fairchild推出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT
2010-08-16 14:42:52
来源：飞兆半导体
点击：1169
随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm。
FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件，用以驱动串联白光LED，为智能电话的显示屏(以及按键，如果有键盘的话)提供照明。
该解决方案对各种动态特性作出仔细精确的优化，实现很低的开关损耗，从而使手机应用拥有相当高的转换效率和更长的电池寿命。
FDZ3N513ZT结合了一个30V 集成式 N沟道MOSFET 和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容 (典型值45pF) 和总体栅极电荷(1nC)，以提高升压转换器设计的效率。
FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封装，相比采用1.6mm x 1.6mm封装的器件，可节省60%的板上占位空间。
飞兆半导体是移动技术领域的领导厂商，拥有大量可针对特定要求而定制的模拟与功率IP产品组合。FDZ3N513ZT 是飞兆半导体全面的先进MOSFET系列的一部分，能够满足业界在充电、负载开关、DC-DC和升压应用方面对紧凑、薄型的高性能MOSFET的需求。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
暂无评论