摘要：  在提倡节能减排、低碳经济的当今时代，具备节能效率高、便于规模化生产、较易实现节能智能化等优点的IGBT已成为功率半导体市场发展的主流技术。

关键字：  节能减排，  低碳，  半导体，  电力电子

(上海，中国—2011年5月4日)世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)今日宣布，公司与其技术合作伙伴密切合作开发的1200V Trench NPT IGBT(沟槽类型非穿通绝缘栅双极晶体管)工艺平台成功进入量产，成为国内第一家提供此类工艺代工的8英寸厂家。

在提倡节能减排、低碳经济的当今时代，具备节能效率高、便于规模化生产、较易实现节能智能化等优点的IGBT已成为功率半导体市场发展的主流技术。华虹NEC利用多年0.13um以上CMOS和功率MOSFET的经验，特别是华虹NEC领先的Trench技术，在沟槽的形貌、光滑度和填充等工艺性能稳定，可靠性高，可以很好地满足高端电力电子器件需求的优势，于2009年启动了IGBT技术研究和开发。目前已有多家客户基于华虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工艺平台开发产品，具有耐压高、漏电小、通态压降低、米勒电容小、可靠性高等显著优点，多项技术指标已达到业界先进水平。在此基础上，华虹NEC将继续开发更高电压和更大电流的IGBT技术。该技术的产品非常适合用于新能源汽车、家用电器、轨道交通、智能电网、太阳能逆变器等应用领域。

华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示：“该项目的成功标志着华虹NEC已成功迈入IGBT代工领域，公司今后还将继续着力扩大该领域业务，吸引、争取更多的合作伙伴。”

在功率分立器件领域，华虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服务的8英寸晶圆厂，也是世界上出货量最大的厂家，截至目前，分立器件累计出货超过200万片8寸晶圆。自2009年以来，华虹NEC连续推出了沟槽400-700V高压MOSFET工艺平台和600-700V超级结结构MOSFET。此次推出的1200V IGBT标志着华虹NEC在功率器件领域的又一个突破，同时，华虹NEC正在开发的国际领先的1700V到6500V高功率IGBT工艺平台，预计将在2012年到2013年陆续进入量产。从低压到高压，从MOSFET到IGBT，华虹NEC力争成为功率器件代工领域的领头羊。

关于华虹NEC：

上海华虹NEC电子有限公司成立于1997年7月，是中国大陆第一家8英寸晶圆厂，现已成为世界领先的专业集成电路晶圆代工企业。客户遍及中国大陆、中国台湾、韩国、日本以及美国等国家与地区。公司目前拥有两条8英寸生产线，月产能接近9万片。公司总部位于中国上海，在台湾、日本、北美和欧洲等地均提供销售与技术支持。

华虹NEC为国内外客户提供涵盖1.0~0.13微米工艺的、专业的、高附加值代工服务，专注于嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等特色工艺平台以及逻辑、混合信号等通用工艺平台，代工产品已广泛应用于智能卡(第二代身份证卡、SIM卡、社保卡等)、通讯、计算机、消费类电子以及汽车电子等领域。

华虹NEC为其客户提供全方位、全天候服务，包括各类技术支持、单元库与IP、版图验证、晶圆加工、晶圆测试、可靠性测试和失效分析等。此外，华虹NEC还可以透过其合作伙伴向客户提供包括掩膜版制作和封装测试在内的一站式服务。

华虹NEC先后通过了ISO9001质量管理体系、ISO14001环境管理体系、ISO27001信息安全管理体系、OHSAS18001职业健康安全管理体系认证，获得美国商务部产业和安全局(“BIS”) 的“经验证最终用户”(“VEU”) 授权，并且通过了TS16949体系符合性审核。华虹NEC由此具有更高的产品品质和信息安全性。