飞兆半导体功率级非对称双MOSFET器件满足电源设计人员的高功率密度和易于设计要求
摘要： 全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块。
电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战，而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中，上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块。
FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET，以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接，能够轻易进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET)(Q2)经专门设计，为高达30A的输出电流实现最佳功效。FDMS36xxS系列将上述器件集成在一个模块中，可替代两个或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封装，有效减少线路板空间。
FDMS36XXS系列产品采用飞兆半导体先进的电荷平衡架构(屏蔽栅极技术)和先进封装技术，可在高性能计算的额定击穿电压下，获得低于2mΩ的业界领先低端RDS(ON) 。该系列产品经过优化，以便最大限度地减小300kHz至600KHz范围的综合传导损耗和开关损耗，为负载点和多相同步降压DC-DC应用带来可靠的最高功效。
FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET使用独特的屏蔽电压调制架构和超低源极电感封装设计，具有低开关噪声、低设计变化敏感度和较高的设计可靠性。低开关噪声可以省去需要外部缓冲器或栅极电阻的缓减设计，从而降低设计BOM成本并且节省额外的线路板空间。
FDMS36xxS系列器件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench®功率级非对称N沟道双MOSFET。飞兆半导体将会根据研究和客户需求增添更多的器件。两款FDMS36xxS系列器件均满足RoHS标准要求。
这些非对称结构功率级双MOSFET模块是飞兆半导体全面广泛的先进MOSFET产品系列的组成部分，为电源设计人员提供了适用于关键任务的高效信息处理设计的全面解决方案。
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