摘要：  日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。

关键字：  智能手机，  平板电脑，  便携式媒体播放器

宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。

Si8802DB和Si8805EDB可用于手持设备中的负载切换，包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和移动计算设备。在这些应用中，MOSFET的0.357mm超薄身材能够节约宝贵的电路板空间，实现更小、更薄的移动产品。

今天发布的器件在1.5V下具有低导通电阻，而且在栅极驱动仅有1.2V的情况下也能导通。这样MOSFET能够使用手持设备中常见的低压电源轨，省却额外的电阻和用于P沟道负载切换的电压源，从而简化设计，并能在N沟道负载切换中使两次充电之间的电池工作时间更长。

N沟道Si8802DB在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的导通电阻为54m、60m、68m、86m和135m。器件封装的外形尺寸比仅次于它的最小器件小36%，在1.8V和1.5V下的导通电阻分别低5.5%和7.5%。

P沟道Si8805EDB在4.5V、2.5V、1.5V和1.2V下的导通电阻为68m、88m、155m和290m。Si8805EDB所占的电路板空间比仅次于它的最小P沟道器件少29%，在4.5V、2.5V下的导通电阻分别低17%和8%。Si8802DB和Si8805EDB的更低导通电阻能够将负载切换过程中的电压降最小化，防止出现有害的欠压闭锁。

器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，及RoHS指令2002/95/EC。Si8805EDB的ESD保护为1500V。

新款Si8802DB和Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。