摘要：  恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日宣布其LD6806CX4超低压差稳压器(LDO)开始供货。该产品具有超低压差的特性，在200-mA额定电流下压降仅为60 mV。

关键字：  半导体，  稳压器，  电流

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 近日宣布其LD6806CX4超低压差稳压器(LDO)开始供货。该产品具有超低压差的特性，在200-mA额定电流下压降仅为60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圆级芯片级封装 (WLCSP)，所占用的电路板空间极小，是设计尺寸有限且对电池寿命要求极高移动设备的理想之选。手机电池的放电几乎与时间呈线性关系，但LDO可以通过提供恒定的稳压输出电压，从而有效地改善这种状况。举例来说，假如一部智能手机的电池电压下降至3.0 V，具有低压差电压特性的LD6806CX4仍然可以在2.9 V的强制稳定电源电压下支持SD卡应用。LD6806CX4是恩智浦新型LD6806系列LDO中的一员，各大经销商现已开始供货。

LD6806系列的主要特点

· 恩智浦新型LD6806 LDO系列噪声极低(仅30 µVRMS)，可有效避免稳压输出电源的变化，无需使用任何外部专用降噪电容。

· 支持电池供电应用，待机功耗仅为0.1 µA (典型值)，有助于降低功耗、提高电池效率。

· LD6806系列ESD稳健性首屈一指，高达10 kV(HBM)，同时结合过热保护和限流器，提供了优秀的电路保护方案。

· LD6806现提供两种封装选择：采用极小型DFN1410-6(SOT886)无铅封装的LD6806F，其尺寸仅为1.45 x 1.0 x 0.5 mm;采用5个引脚的SOT753通用消费级封装的LD6806TD，标准尺寸为2.9 x 1.5 x 1.0 mm。

· 除提供上述封装选择以外，恩智浦的低压差稳压器产品组合还包括PSRR性能高达75dB的LDO，比如采用超小型无铅QFN封装(SOT1194)的LD6805K，尺寸仅为1.0 x 1.0 mm，高度为0.55 mm (最大值)。

关键数据：

· 市场调研公司Databeans在其2011年第三季度电源管理跟踪报告(Power Management Tracker)中预测，到2016年，全球LDO稳压器市场规模将达32.93亿美元。

积极评价：

· 恩智浦半导体集成分立器件产品线营销总监Dirk Wittorf博士表示：“稳压器在电池供电型电子设备的电源效率和性能管理方面发挥着至关重要的作用。恩智浦认为，采用小型封装的高功效、低噪声LDO和DC/DC转换器是满足各种电压要求必不可少的元件，特别适用于目前快速普及的智能手机、音乐播放器、平板电脑等便携式设备。凭借广泛的标准产品组合，以及我们在生产方面的规模经济效应和质量保证，恩智浦为系统设计师们提供了世界一流的能效、组件集成和封装技术方面的专业技能，从而赋予他们极大优势。”

· 恩智浦半导体集成分立器件部国际产品营销经理Frank Hildebrandt则表示：“我们面向移动应用的最新LDO产品充分发挥了恩智浦在晶圆级CSP封装工艺领域的优势，并将其与现今最佳压降性能有效结合，在延长电池寿命、减少电路板占用空间等重要方面创造了有利条件。一家大型手机OEM制造商对我们采用芯片级封装的LDO的机械性能给出了极高评价，这是对恩智浦生产方式的高度认可。”