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Vishay发布采用独特SurfLight表面发射器技术的新款850nm红外发射器

2011-11-11 09:53:59 来源:大比特半导体器件网

摘要:  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01,扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封装,占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm,具有超群的高驱动电流、发光强度和光功率,同时具有低热阻系数。

关键字:  发射器,  光电子,  高驱动电流,  发光强度,  低热阻系数

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款采用该公司的SurfLight表面发射器技术制造的850nm红外(IR)发射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01,扩大其光电子产品组合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star®封装,占位为6.0mm x 7.0mm x1.5mm,具有超群的高驱动电流发光强度和光功率,同时具有低热阻系数

VSMY7850X01发射器包含一个42mil芯片,驱动电流达1A,脉冲电流可达5A,VSMY7852X01包含一个20mil芯片,驱动电流达250mA,脉冲电流达1.5A。由于VSMY7850X01和VSMY7852X01的热阻系数只有10K/W和15K/W,两款器件几乎在-40℃~+100℃的整个工作温度范围内都能采用最大电流。

Vishay的SurfLight表面发射器技术使用一种独特的硅片结构,在这个结构中所有从半导体内产生的光都从芯片的顶表面发射出来,从而使VSMY7850X01在1A电流下的发光强度高达170mW/sr,光功率高达520mW,正向压降只有2V;SMY7852X01在250mA电流下的发光强度高达42mW/sr,光功率高达130mW,正向压降只有1.8V。今天发布的两款器件通过了AEC-Q101认证,半强角为±60°。

由于工作电流极高,这些发射器完全可以替代多个标准SMD器件,这样设计者就能够在各种各样的应用削减元器件数量,并提高性能表现。VSMY7852X01和VSMY7850X01非常适用于CMOS摄像头、驱动辅助系统、3D电视机和3D成像、夜视设备和红外闪光灯中的红外照明。发射器的开关时间只有15ns,是机器视觉红外数据传输的绝佳选择。

VSMY7852X01和VSMY7850X01是A850系列SurfLight发射器的最后两款产品,该系列包括VSMY3850、VSMY2850G、VSMY2850RG、VSMY1850X01和VSLY5850。所有这些器件均采用表面发射技术制造,发射波长为850nm,具有高光强和光功率。

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