摘要：  三菱电机株式会社宣布研发出两款用于C波段※1卫星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器：MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ，拥有100W和50W的业届最高输出※5功率，样品从2012年1月10日开始提供。

关键字：  卫星通信地面站，  功率放大器，  基站

三菱电机株式会社宣布研发出两款用于C波段※1卫星通信地面站※2的GaN HEMT功率放大器：MGFC50G5867 和MGFC47G5867 ，拥有100W和50W的业届最高输出※5功率，样品从2012年1月10日开始提供。

※1 频率4 GHz～8GHz的微波

※2 卫星通信时设置在地面的基站

※3 Gallium Nitride：氮化镓

※4 High Electron Mobility Transistor：高电子迁移率晶体管

※5 截至2011年11月29日，根据本公司调查。在卫星通信地面站用的GaN HEMT中

GaN HEMT

左：MGFC50G5867 右：MGFC47G5867

新产品的特点

1.大功率、高效率有助于功率放大器的小型化

采用耐压性能卓越的GaN，可在40V的高电压下工作

大功率，输出功率分别达到100W(MGFC50G5867)和50W(MGFC47G5867)

高效率，功率附加效率※6达到43%以上

※6 供电功率转换为输出功率时的效率。数值越高，效率越佳。

2.低失真特性有助于提高信号质量

输出功率为40W(46dBm)时IM3※7=-25dBc，实现低失真特性(MGFC50G5867)

※ 7 Inter Modulation：当2个信号同时输入到放大器时产生的失真现象。数值越低，性能越佳。

※ 8 Heterostructure Field Effect Transistor：异质结场效应晶体管

销售概要

MGFC47G586747dBm(50W)10dB

销售目标

卫星通信基站使用的是采用GaAs(砷化镓)HFET的功率放大器;但因GaAs HFET难以达到大功率，故有时需要多个HFET组合使用，如何实现功率放大器小型化成了一大课题。

本公司之前推出用于卫星功率放大器的C波段GaN HEMT产品，该产品采用功率附加效率卓越的GaN材质，比GaAs具有更高饱和电子速率和更高击穿电压，已从2010年3月开始提供样品。本次推出的2款“GaN 内匹配HEMT”新产品，可用于卫星通信基站的射频功率放大器，输出功率分别为100W、50W，亦将提供样品。这两款产品将有助于推进基站功率放大器的小型化。

主要规格

※9 Drain to Source Voltage：漏极电压

※10 Quiescent Drain Current：静态漏电流

※11 Linear Gain(测试频率 f=6.4GHz)

※12 Power Added Efficiency(测试频率f=6.4GHz 、@P3dB)

制作工厂

三菱电机株式会社　高频光器件制作所

〒664-8641 兵库县伊丹市瑞原4丁目1番地

销售公司

三菱电机机电(上海)有限公司

上海市长宁区兴义路8号上海万都中心29楼

邮编：200336

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