英飞凌科技推出汽车封装无铅功率MOSFET
2011-12-29 10:13:15
来源：半导体器件应用网
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摘要： 随着新的MOSFET系列，英飞凌超过目前符合RoHS(有害物质限制)与铅基焊料，用来连接硅芯片令。待2014年实施后，可能需要100%无铅封装。由于在同行业中第一个MOSFET，英飞凌新设备使客户能够满足这些严格的要求。
英飞凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽车封装类型的合格100%无铅功率MOSFET。结合创新的包装技术和英飞凌的薄晶圆的工艺技术，新的40V的OptiMOST2的功率MOSFET。英飞凌采用扩散焊接模具附加的方法来生产的无铅封装，包括TO - 220，TO - 262和TO - 263。由于在封装几何方面的具体要求，模具垫厚度和芯片尺寸的扩散焊接模具适合这三种封装类型，英飞凌能够提供他们的OptiMOS T2的包在这些产品的生产准备。
随着新的MOSFET系列，英飞凌超过目前符合RoHS(有害物质限制)与铅基焊料，用来连接硅芯片令。待2014年实施后，可能需要100%无铅封装。由于在同行业中第一个MOSFET，英飞凌新设备使客户能够满足这些严格的要求。
“英飞凌是在功率半导体和相关封装技术的领导者。引进无铅封装，英飞凌是世界上第一个芯片供应商，目前我们的汽车客户未来的证明，符合RoHS标准，环保MOSFET，以发展高效节能的“绿色”产品。”
英飞凌专利的无铅芯片连接(包芯片和引线框架之间的互联)使用扩散焊接方法，它可以更好的电气性能和热性能，制造和质量。
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