HOMSEMI MOSFET在高性能无叶风扇方案中的应用和评测
摘要: 本方案选用高性能的ST系列MCU,采用无级变速调节风机,配合红外遥控,操作简单、快捷、方便。MCU发送过来的PWM脉冲指令传输到专门匹配的成启半导体(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB,驱动无刷直流电机,最高转速可达到10000r/min.成启半导体(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB极低的Qgs和Rds(ON),配合重量轻效率高的无刷直流电动机,使产品更加节能环保,增强了系统的可靠性及大幅度降低了生产成本。
本方案选用高性能的ST系列MCU,采用无级变速调节风机,配合红外遥控,操作简单、快捷、方便。MCU发送过来的PWM脉冲指令传输到专门匹配的成启半导体(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB,驱动无刷直流电机,最高转速可达到10000r/min.成启半导体(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB极低的Qgs和Rds(ON),配合重量轻效率高的无刷直流电动机,使产品更加节能环保,增强了系统的可靠性及大幅度降低了生产成本。
无叶风扇也叫空气增倍机.于2009年底首度推出.这项发明灵感于空气叶片干手器—其原理是迫使空气通过一个小口来刷干手上的水.无叶风扇是让空气从一个1.3MM宽的圆环切口里吹出来,由于空气是被强制从这一个圆圈里吹出来,所以通过的空气量可以增加到15倍,时速可增至35公里.
方案中无刷直流电机(BLDCM)输入(110V/220V)交流电, 经转换器(converter)转成直流,要转入电机线圈前须先将直流电压由换流器(inverter)转成3相电压来驱动电机。换流器(inverter)由6个功率MOSFET(VT1~VT6)分为上臂(VT1、VT3、VT5)/下臂(VT2、VT4、VT6)连接电机作为控制流经电机线圈的开关。MCU提供PWM(脉冲宽度调制)决定功率MOSFET HS2N60IB开关频度及换流器(inverter)换相的时机。
一.控制器原理框图:
1. VT1-VT6是成启半导体(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB.
2. PMSM代表是无刷直流电动机也可以是永磁同步电动机。
3. 驱动控制器就是单片机可以是8位或是32位单片机。
4. 电源输入兼容115VAC或230VAC. 在控制板上跳线选择。
二.原理图
三.MOSFET输出波形图
该系列无叶风扇方案,采用体积小效率高的无刷直流电动机,主控芯片使用STM8系列MCU,并配合成启半导体(HOMSEMI)半导体专门匹配的功率MOSFET HS2N60IB,启动更平稳,噪音更小,以达到性价比的最优化。
ST M8系列MCU:
●ST意法半导体8位单片机
●最高fcpu频率:24MHz,当fcpu≤16MHz时0等待的存储器访问。
●性价比相对较高。
HS2N60IB:
●HOMSEMI PLANNAR MOSFET
●VDS:600V
●ID:2A
●针对DCBL马达驱动应用优化。
暂无评论