飞兆半导体第二代XS™ DrMOS为设计人员提供更薄的Ultrabook™ 应用解决方案
2012-03-20 15:35:41
来源：半导体器件应用网
摘要： Ultrabook设备和笔记本等应用的设计人员面临降低电源设计中电感高度的挑战，以满足更薄的低侧高终端系统要求。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS DrMOS系列FDMF6708N，这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案。
Ultrabook设备和笔记本等应用的设计人员面临降低电源设计中电感高度的挑战，以满足更薄的低侧高终端系统要求。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS DrMOS系列FDMF6708N，这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案，用于大电流、高频率同步降压DC-DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管，采用热性能增强型6x6mm2 PQFN Intel® DrMOS v4.0标准封装。
FDMF6708N可让设计人员节省50%的占位面积，同时提供高开关频率和高功率密度。该器件的过零检测(ZCD)功能改善了轻负载效率，延长了电池寿命。与传统分立解决方案不同，FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET 技术以及具有更低源极电感的clip-bond封装，在满负载下提供高效率。而传统分立解决方案需要更大的PCB空间、更长的布局走线、更厚的电感，以及更多的元件，因而在使用较薄磁性元件所需的较高频率下散热性能不良。
FDMF6708N采用PQFN 6x6mm2 封装，与最接近的竞争产品相比，该器件在峰值负载下(15A)效率提高2.5%，在满负载条件下(30A)效率改善6%。该器件适用于要求开关频率在600KHz – 1.0MHz，输入电压甚至达到20V的应用。可让设计人员使用更小、更薄的电感和电容，减小解决方案的尺寸，同时满足热性能要求。FDMF6708N器件能够帮助设计人员应对设计挑战，设计出更酷、更薄且具有更高能效的Ultrabook产品。
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