新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET--SiA436D
2012-06-29 11:31:37
来源：电源在线网
摘要： 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。
新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4m、10.5m、12.5m、18m和36m的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%，比2mm x 2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。
SiA436DJ可用于智能手机、平板电脑，以及移动计算应用等便携式电子产品中的负载切换。器件的超小尺寸PowerPAK SC-70封装可在这些应用中节省PCB空间，同时其低导通电阻可以减少传导损耗，达到降低功耗、提高效率的目的。
MOSFET在1.2V电压下就可导通，使MOSFET可以采用手持设备中常见的低压电源轨进行工作，简化了电路设计，使电池在两次充电周期之间的工作时间更长。SiA436DJ的低导通电阻还可以减低负载开关上的电压降，防止出现讨厌的欠压锁定现象。
SiA436DJ通过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令。
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