三菱电机开始提供“SiC功率半导体模块”样品的通知
摘要： 三菱电机株式会社定于7月31日开始，依次提供5个品种的SiC功率半导体模块，以满足家电产品与工业设备对应用SiC材料的新一代SBD※2和MOSFET※3等功率半导体的需要。这些产品有助于使得应用逆变器的家电产品和工业设备更高效化、小型化、轻量化。
本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2012 -Power System Japan 2012-”(7月11日～13日于日本东京Big Sight举行)上展出。
※1 Silicon Carbide：碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管
※3
概要
※4 DIPIPM：压注模型双列直插智能功率模块
※5 DIPPFC：内置功率因数校正电路的压注模封装智能功率模块
提供样品的目的
近几年，为有效利用能源并降低损耗，从空调、冰箱等家电产品，到普通的工业设备，都在广泛应用逆变技术。尽管三菱电机已经为客户大量提供低损耗的逆变器用功率半导体模块，但是SiC能够显著降低损耗，并提升器件的开关速度，而且使得设备系统更加高效化和小型化。
此次三菱电机开发了采用SiC材料的SBD和MOSFET的功率半导体模块，并开始提供5个品种的样品。其中，3个品种适用于空调等家电产品;另2个品种适用于通用变频器和伺服等工业设备。
特点
1.用于家电产品的SiC功率半导体模块
1-1混合SiC DIPIPM
应用SiC-SBD二极管
与Si器件相比，损耗降低约12%
与既有“超小型DIPIPM”的引脚排列与外形尺寸兼容
与既有“超小型DIPIPM”的保护功能相同
1-2混合SiC DIPPFC
应用SiC-SBD二极管，开关频率最高可达30kHz
器件的高频化，有助于电抗器和散热器等外围配件的小型化
内置PFC※6及驱动IC，有助于减少安装面积及简化PCB布线，使得系统小型化
与既有“超小型DIPIPM”外形尺寸兼容
※6 Power Factor Correction：功率因数校正
1-3全SiC DIPPFC
应用SiC-MOSFET晶体管和SiC-SBD二极管
与Si器件相比，损耗降低约45%
开关频率最高可达50kHz
器件的高频化，有助于电抗器和散热器等外围配件的小型化
内置PFC，有助于减少安装面积及简化PCB布线，使得系统小型化
与既有“超小型DIPIPM”外形尺寸兼容
2.用于工业设备的SiC功率半导体模块
2-1混合SiC-IPM
应用SiC-SBD二极管
与既有产品※7相比，损耗降低约25%，有助于设备的小型化好和高效化
与既有产品※7引脚排列与外形尺寸兼容
与既有产品※7的保护功能相同
※7 IPM L1系列 型号：PM75CL1A120
2-2全SiC模块
应用SiC-MOSFET晶体管和SiC-SBD二极管
与既有产品※8相比，损耗降低约70%，有助于装置的高效化
与既有产品※8相比，封装大幅度减小，安装面积减少约60%，有助于装置的小型化与轻型化
低电感封装，充分发挥SiC性能
※8 IGBT模块 型号：CM400DY-24NF两片并联
环保考虑
符合欧盟成员国限制6种特定有害物质的RoHS※9指令。
※9 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment
商标
DIPIPM、DIPPFC是三菱电机株式会社的注册商标。
主要规格
※10 只限混合SiC DIPPFC内置过热保护功能
更多信息请登陆：www.MitsubishiElectric-mesh.com
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