TriQuint推出新型高性能GaAs射频驱动放大器
摘要： 中国 上海- 2012年9月6 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓 (GaAs) 射频驱动放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106，它们在CDMA、WCDMA和LTE基站或类似应用中能够提供一流的线性度、低功耗和先进的保护功能。这些高性能放大器具有极宽工作带宽并且非常坚固，在操作范围50到1500 MHz之间提供高性能。
中国 上海- 2012年9月6 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出两款采用新封装的1W和2W砷化镓 (GaAs) 射频驱动放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106，它们在CDMA、WCDMA和LTE基站或类似应用中能够提供一流的线性度、低功耗和先进的保护功能。这些高性能放大器具有极宽工作带宽并且非常坚固，在操作范围50到1500 MHz之间提供高性能。
TQP7M9105和TQP7M9106 是不断发展壮大的TriQuint 第三代5V线性驱动放大器产品系列的最新成员。除了在蜂窝收发基站 (BTS) 应用中的卓越性能以外，它们同样非常适用于远程无线电头端 (RRH) 和小蜂窝基站的射频设计。
TQP7M9105提供1W(+30 dBm)的P1dB射频输出功率，增益为19.4 dB，输出三阶交调截取点(OIP3)为达到同类产品最高线性度的49 dBm，在+5 V电压下耗电仅为220 mA。TQP7M9106提供2W(+33 dBm)的P1dB射频输出功率，增益为20.8 dB， 输出三阶交调截取点为大于竞争器件的50dBm，在+5 V电压下耗电仅455 mA。这两款器件都集成了片上电路，这使它们能够达到工作模式为 A类但效率为 AB类的放大器的典型线性度。
另外这两种产品还具有出色的耐电强度，能够处理它们经常会遇到的“超出规范的”工作条件。例如，它们能够提供射频输入过载保护和直流过压保护。此外，它们的片上静电放电 (ESD) 保护使它们能够满足严格的 1C类 HBM规范要求，这使它们能够经受通常会在正常制造环境中遇到的大部分杂散电压。这两种产品采用符合RoHS标准的无铅SOT-89 (TQP7M9105) 封装和4x4mm QFN (TQP7M9106) 表面贴装封装。
技术细节：
暂无评论