中芯国际推出0.13微米1.2V低功耗嵌入式EEPROM平台
摘要： 中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际"，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所代码：981)，中国最大的和最先进的半导体代工厂，今天宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平台，与其0.13微米(um)低漏电(LL)工艺完全兼容。该平台经过流片以及IP验证，在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时，能提高数据的安全性。这个新平台为中芯国际的成熟工艺节点提供了最新的增值服务，主打中国快速发展的双界面金融IC卡市场及全球非接触式智能卡市场。
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中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际"，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所代码：981)，中国最大的和最先进的半导体代工厂，今天宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平台，与其0.13微米(um)低漏电(LL)工艺完全兼容。该平台经过流片以及IP验证，在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时，能提高数据的安全性。这个新平台为中芯国际的成熟工艺节点提供了最新的增值服务，主打中国快速发展的双界面金融IC卡市场及全球非接触式智能卡市场。
建立在中芯国际的0.13微米低功耗技术上，该1.2V低功耗平台使用字节模式操作的真正的EEPROM技术。与0.18微米EEPROM技术相比，该0.13微米平台减少了约50%的芯片面积，同时降低了约50%的功耗。还可选用高速缓存控制器，在低功耗的同时加快读取速度，为客户提供了更大的设计灵活性。该平台是卡类应用最理想的平台，如双界面银行卡、社会保障卡、医疗保险卡、交通卡、电子护照和电子支付卡。该平台集成了EEPROM、ROM、VR、OSC、I/O、存储器编译器和光检测器(light detector)IP。除了上述中芯国际自己研发的IP，存储器编译器方面亦提供第三方IP的选择。中芯国际的0.13微米过程中使用铜低k互连和硅化钴晶体管的互连。以中芯国际0.13微米LL技术构建的设备将支持温度范围从-40摄氏度到85摄氏度完整的读取和编程操作，并且在55摄氏度的温度下，10万读取和写入周期后，还能保证至少30年的数据保存(等同于在室温下超过300年的数据保存)。该平台目前正在通过一百万次读取和写入周期的品质验证。
中芯国际商务长季克非表示，"年底将有银行IC卡产品在这一新平台投片，我们为客户的积极反响感到鼓舞。根据我们多年0.18微米EEPROM的量产经验以及客户的反馈，我们预期该技术将快速上量并带来强劲的市场需求。"
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