EverSpin首推ST-MRAM芯片 比当前的SSD快500倍
摘要： 美国亚利桑那州的Everspin科技公司昨日宣布，它们已成为世界首家MRAM(磁性随机存储器)供应商，为其选定的客户推出其自有的ST-MRAM(转矩磁阻随机存取存储器)芯片。这种非易失性存储介质据称比当前的SSD快500倍，但价格也是50倍。在性能方面，ST-MRAM的规格看起来令人印象深刻：16亿的IOPS，"高达"3.2GB/s的带宽，以及纳秒级的延迟。
美国亚利桑那州的Everspin科技公司昨日宣布，它们已成为世界首家MRAM(磁性随机存储器)供应商，为其选定的客户推出其自有的ST-MRAM(转矩磁阻随机存取存储器)芯片。这种非易失性存储介质据称比当前的SSD快500倍，但价格也是50倍。在性能方面，ST-MRAM的规格看起来令人印象深刻：16亿的IOPS，"高达"3.2GB/s的带宽，以及纳秒级的延迟。
相比之下，OCZ 512GB的Vertex 4固态硬盘仅有12万的IOPS，差不多550MB/s的吞吐量，延迟也是毫秒级而不是纳秒级。
重要的是你别激动过头了——ST-MRAM也有一些不足之处。尽管取得了作为基于NAND的固态硬盘的潜在篡位者的承诺，Everspin并不会将这个技术用于取代固态硬盘，而是作为固态硬盘的一个补充。
部分原因可能是其高昂的成本。《计算机世界》预计ST-MART将比当前的FLASH供应价高出约50倍，不过新技术刚开始的时候都是这样的。还记得SSD售价几千美金的时候吗?想当年要42000美金的14GB SSD，我们现在买一个128GB型号的固态硬盘都只需60-70美元。也许我们可以预期MRAM在接下去的10年里也会这样，时间会告诉我们。
另一个原因，因为ST-MRAM对高功率的要求，它可能并不是一个理想的SSD替代者。据Everspin称，常规SSD使用的64GB NAND芯片在使用时仅需80毫瓦的功率。与此相比，1GB的ST-MRAM芯片就需要400毫瓦的使用功率，很明显ST-MRAM在成为主流闪存存储产品的替代者之前还有一些路要走。
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